Dazu untersuchten die Forscherinnen und Forscher die Etherspaltung auf einer Siliziumoberfläche – eine
Reaktion, die die Oberflächenvariante einer SN2-Reaktion darstellt. Für diese Reaktion konnten sie zeigen, dass sie nicht nur durch Zufuhr thermischer
Energie – der „Normalfall“ –, sondern auch durch Anregung der einzelnen Moleküle mittels Elektronen initiiert werden kann. Da mit dem Rastertunnelmikroskop
die Endprodukte der Reaktion auf molekularer Skala nachgewiesen werden können, konnten die Forscherinnen und Forscher weiterhin zeigen, dass sich diese
von den Endprodukten einer thermisch induzierten Reaktion unterscheiden.
Dabei ist besonders hervorzuheben, dass sich die Endprodukte je nach Art der Anregung, d.h. entweder einer direkten elektronischen Anregung oder
einer durch das Elektron vermittelten Schwingungsanregung, unterscheiden. Da diese Anregungsarten wiederum durch die experimentellen Parameter
bestimmt werden, eröffnet sich eine ganz neue Art der Kontrolle dieser Reaktionen.
Die Deutsche Forschungsgemeinschaft förderte die zugrundeliegende wissenschaftliche Arbeit durch
den Sonderforschungsbereich „Struktur und Dynamik innerer Grenzflächen“ (SFB 1083) sowie durch das Graduiertenkolleg „Funktionalisierung von Halbleitern“
(GRK 1782).
Der Forschungscampus Mittelhessen:
Der Forschungscampus Mittelhessen ist eine hochschulübergreifende Einrichtung nach §47 des Hessischen
Hochschulgesetzes der Justus-Liebig-Universität Gießen, der Philipps-Universität Marburg und der Technischen Hochschule Mittelhessen zur Stärkung der regionalen Verbundbildung in der Forschung, Nachwuchsförderung und Forschungsinfrastruktur. Die Forschenden der JLU, der
UMR und der THM im Campus-Schwerpunkt „Materialforschung“
schaffen die für Anwendungen notwendigen naturwissenschaftlichen und technischen Grundlagen, erforschen die Herstellung und den Einsatz neuartiger
Materialien und leisten einen maßgeblichen Beitrag zur Entwicklung und praktischen Nutzung zukunftsträchtiger Technologien.
